2016貼片晶振96MHz產(chǎn)品圖例

在晶振的實際應(yīng)用中，主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率、調(diào)整頻差、等效電阻、負(fù)載電容（CL）、外接電容、工作溫度、C0值、C1值等。

晶振C0值指的是晶振的靜態(tài)電容，即晶振兩引腳之間的電容，是以水晶為介質(zhì)，由兩個金屬電極形成的電容，與石英晶片電極面積（或者晶體體積）大小和頻率大小成正比。因此，換句換說，晶振C0值的大小主要取決于電極面積、石英晶片厚度和石英晶片加工工藝（含夾具類型）。

晶振C1值指等效電路中動態(tài)臂里的電容，即動態(tài)電容。動態(tài)電容C1值的大小主要取決于電極面積，另外還和石英晶片平行度、微調(diào)量的大小有關(guān)。簡而言之，動態(tài)電容 C1表征振動能力，與石英晶片電極面積（或者晶體體積）和頻率大小成正比。

晶振其它電氣參數(shù)

• CL：代表晶振的負(fù)載電容。

• RR：代表等效阻抗，指無源晶振工作在諧振頻率時的電阻，單位用Ω表示。

• DLD：代表激勵功率特性，指在給定的激勵功率范圍內(nèi)，測出的電阻或頻率的變化值。主要用來衡量貼片晶振材料和制造工藝的穩(wěn)定性。常用的幾個參數(shù)指標(biāo)：DLD2、RLD2、FDLD。

• DLD2：一系列的功率下等效阻抗的最大值和最小值的差。在給定的激勵功率范圍內(nèi)，測出的最大諧振電阻與最小諧振電阻之間的差值。即:DLD2=MaxR-MinR，單位用Ω表示。一般應(yīng)小于晶振電阻的三分之一。

• FDLD：一系列的功率下頻率的最大值和最小值的差，即：FDLD=MaxFr-MinFr，單位用PPM表示。晶諾威測試方式：通過激勵功率由小及大正向測試，再通過激勵功率由大及小反向測試。

• RLD2：一系列的功率下等效阻抗的最大值，即:RLD2=MaxR，單位用Ω表示。

影響DLD的因素

• 導(dǎo)電膠中存在氣泡或雜質(zhì)，導(dǎo)電性能不良；點膠不均勻或膠水量不足，影響其穩(wěn)定性和可靠性；導(dǎo)電膠的粘度和點膠參數(shù)不合適，導(dǎo)致在振動或沖擊下性能不穩(wěn)定。

• 晶片質(zhì)量晶振材料的純度和均勻性會影響其 DLD 特性。高質(zhì)量的材料能保持較低的 DLD2 和 FDLD 值。

• 晶振制造工藝晶振生產(chǎn)過程中的工藝控制和一致性對 DLD 參數(shù)有直接影響。不穩(wěn)定的制造過程可能導(dǎo)致較大的 DLD2 和 FDLD 值。