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54M無源貼片晶振 SMD3225電氣參數說明

作者:華昕電子 日期:2025-11-28 瀏覽量:20

?? 54MHz SMD3225 晶振典型電氣參數

下表為你整理了不同負載電容(CL)選項下,54MHz SMD3225無源晶振的關鍵參數范圍,數據來源于多個主流品牌:

 
 
參數名稱 典型參數范圍 / 值 說明
標稱頻率 54 MHz -
封裝尺寸 3.2mm x 2.5mm (3225) 4引腳貼片封裝。
負載電容 (CL) 8pF, 12pF, 19pF 這是核心參數
常溫頻差 (25℃) ±10ppm 或 ±15ppm 在基準溫度下的初始頻率精度。
工作溫度頻差 ±15ppm 或 ±20ppm 在整個工作溫度范圍內,由溫度變化引起的頻率最大偏差。
等效串聯電阻 (ESR) 30Ω - 50Ω 常見值為30Ω、40Ω、50Ω。ESR越低,晶振越容易起振。
激勵功率 100μW (典型最大值) 驅動晶振的功率上限,超限可能導致頻率不穩或損壞。
靜態電容 (C0) < 4.0pF (典型值) 由晶片電極和封裝等形成的并聯電容。
年老化率 ≤ ±3ppm/年 (典型值) 頻率隨時間推移的緩慢變化。

 

注:

腳1與腳3與內部石英晶體連接,為頻率輸出腳或頻率輸入腳,無方向之分。

腳2與腳4與金屬外殼相連,請接地,以便抗干擾。

?? 針對“10pF”要求的分析與選型建議

你特別要求10pF的負載電容,這在實際選型中是一個需要特別注意的精準需求:

  1. 關于規格匹配

    • 從現有搜索結果看,54MHz SMD3225封裝的晶振,其標準負載電容值常見為 8pF、12pF、19pF。你可能需要擴大搜索范圍,或者向供應商咨詢是否有10pF的定制或非標選項。

    • 有一個替代思路:選擇12pF的型號,然后通過精確計算和調整外部的兩個匹配電容,使電路呈現的總負載電容接近芯片要求的值。這是無源晶體電路設計中的常見做法。

  2. 關鍵選型與使用步驟

    • 首要依據:優先遵循你所用主控芯片(MCU、SoC等)數據手冊中 “外部晶振”章節的推薦參數,特別是負載電容值。

    • 計算匹配電容:如果芯片推薦負載電容為CL,PCB及引腳寄生電容估計為C<sub>stray</sub>(通常約2-5pF),則外部兩個匹配電容C1和C2(通常相等)可按下式估算:C1 = C2 ≈ 2 * (CL - C<sub>stray</sub>)

    • 關注溫度范圍:根據設備工作環境(如消費級、工業級-40~85℃)選擇合適的型號。

如果你需要更具體的設計計算或選型分析,可以告訴我你使用的主控芯片型號,我可以幫助你做進一步的判斷。




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